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ITO圓靶

表1：

 

項目

規格

主要成分

In2O3:SnO2=90:10（wt%），其它(ta)比例以客戶要(yao)求為準

純度

4N（雜質含量見附表(biao)）

相對密度

≥99.3%（理論密度7.15g/cm3）

電阻率

≤1.8Ω·mm2/m

失氧率

≤0.5%

物理規格

呈圓片狀，其尺寸及偏差由供需雙方商定

外觀質量

外(wai)觀顏色均勻；表面平整，無(wu)裂紋，無(wu)崩(beng)(beng)邊崩(beng)(beng)角，且無(wu)任何外(wai)來夾(jia)雜物和污染物

內部缺陷

內部無裂紋，無異物

 

附表：

 

雜質含量（×10-6）不大于         單位：wt%

Fe

Pb

Zn

Ni

Cu

Cd

Al

Si

Ca

Mg

15

10

10

5

5

5

15

15

15

5