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ITO靶材和銅背板

表1:

 

項目

規格

主要成分

In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客(ke)戶要求為準

純度

4N(雜質含量見附(fu)表(biao))

相對密度

≥99.3%(理論密度7.15g/cm3

電阻率

≤1.8Ω·mm2/m

失氧率

≤0.5%

物理規格

呈片(pian)狀(zhuang)或(huo)其他形狀(zhuang),其尺寸及偏(pian)差由(you)供需雙方(fang)商定

外觀質量

外觀顏色均勻(yun);表面(mian)平整(zheng),無裂紋,無崩邊崩角,且無任何外來夾雜物(wu)(wu)和(he)污(wu)染物(wu)(wu)

內部缺陷

內部無裂紋,無異物

 

附表:

 

雜質含量(×10-6)不大于         單位:wt%

Fe

Pb

Zn

Ni

Cu

Cd

Al

Si

Ca

Mg

15

10

10

5

5

5

15

15

15

5